SK Hynix Gelontorkan Rp678 Triliun Bangun Pabrik Chip DRAM dan NAND

Produsen memori asal Korea Selatan, SK Hynix, menyiapkan investasi senilai 54 triliun won atau sekitar Rp678 triliun untuk membangun dua fasilitas produksi chip baru. Langkah raksasa ini diambil demi memperkuat kapasitas produksi memori DRAM dan NAND flash di tengah lonjakan pemrosesan data kecerdasan buatan (AI). Pengembangan infrastruktur manufaktur tersebut mencakup pembangunan pabrik Y2 di Yongin serta pabrik M17 yang berlokasi di Cheongju, sebagaimana dikutip dari Detik iNET.

Fasilitas Y2 menjadi bagian dari kawasan Yongin Semiconductor Cluster yang difokuskan pada peningkatan volume DRAM. Konstruksi fisik Y2 dijadwalkan mulai berjalan pada Juli 2027, dengan operasional cleanroom pertama ditargetkan siap pada Juni 2029 untuk memproduksi High Bandwidth Memory (HBM) dan DRAM generasi mendatang.

Sementara itu, pembangunan pabrik M17 di Cheongju akan dimulai lebih awal pada Februari 2027. Fasilitas M17 dirancang khusus untuk memproduksi chip NAND Flash, dengan target pembukaan cleanroom pertama pada Desember 2028.

Dampak Lonjakan Kebutuhan Infrastruktur AI

Langkah ekspansi ini dipicu oleh tingginya permintaan pasar terhadap memori HBM dari raksasa teknologi seperti Nvidia dan AMD. Komponen tersebut dibutuhkan untuk memperkuat unit pemroses grafis (GPU) dan akselerator AI pada sistem pusat data berskala besar.

Kebutuhan terhadap kepingan NAND Flash juga mengalami kenaikan drastis seiring meluasnya implementasi SSD tingkat enterprise. Penyimpanan jenis ini berperan sebagai pendorong utama sistem memori dalam memproses beban kerja agen AI dan teknologi robotika.

SK Hynix memproyeksikan puncak kelangkaan pasokan semikonduktor global akan terjadi antara tahun 2027 hingga 2030. Pengoperasian pabrik Y2 dan M17 diharapkan dapat menstabilkan rantai pasokan memori global saat masa puncak tersebut berlangsung.